各種SEMI規格シリコンウェハー

各種SEMI規格シリコンウェハー



弊社は半導体最先端プロセスに関わる生産・研究・開発用途の各種SEMI規格のシリコンウェハーをご提供致します。

優勢

Quality
品質
最高の品質で一貫した安定性能のウェハーを供給致します。
Low price
低価格
豊富な取り扱い量により低コストを実現しております。
Date of delivery
納期管理
定期便で最短納期に中国大手シリコンメーカーから直接輸入し納品致します。
Secure supply chain
信頼できるサプライチェーン
指定販売代理会社として、中国大手シリコンメーカーと強固な信頼関係を構築しております。



Extensive product offering
豊富な取り扱い製品
FZ・CZシリコンウェハ、ポリッシュドウェハ、エピタキシャルウェハ、ダミーウェハなど広範囲にございます。
Flexible response
柔軟な対応
お客様のニーズによって、特殊仕様ウェハ、少量多品種にも対応を可能です。

製品情報

① FZ単結晶シリコン(フローティングゾーン法)

FZは浮遊帯(Floating Zone)を意味し、棒状多結晶シリコンの下に種結晶をつけ、誘導加熱で種結晶と多結晶シリコンの境界あたりを融解し単結晶化していく方法です。高純度でかつ炭素及び酸素の不純度が極めて低いウェハになります。

TYPE 伝導型 Orientation 直径(mm) 抵抗率(Ω・cm)
高抵抗 N&P 〈100〉&〈111〉 76.2-200 >1000
NTD N&P 〈100〉&〈111〉 76.2-200 30-800
CFZ N&P 〈100〉&〈111〉 76.2-200 1-50
GD N&P 〈100〉&〈111〉 76.2-200 0.01-300
②CZ単結晶シリコン(チョクラリスキー法)

直管熱システムに組み込まれ、黒鉛抵抗で加熱され、高純度石英るつぼに含まれるポリシリコンを溶融し、溶融物の表面に種結晶を挿入して溶接します。 その後、回転する種結晶を下げて溶かします。 身体は浸透して触れられ、徐々に持ち上げられ、ネッキング、ネッキング、ショルダー、等径制御、仕上げのステップを経て仕上げまたは引っ張られます。

TYPE 伝導型 Orientation 直径(mm) 抵抗率(Ω・cm)
CZ N&P 〈100〉(110〉〈111〉 76.2-200 1-100
MCZ N&P 〈100〉(110〉〈111〉 76.2-200 1-100
へビ-ド-ピング HD N&P 〈100〉&〈111〉 76.2-200 0.001-1
③ポリッシュドウェハ-
パラメータ 単位 FZ規格 CZ
へビ-ド-ピング
規格
ド-ピング
規格
直径 mm 200 200 300 200 300
厚み um 400-1000 400-1000 775±20 400-1000 775±20
TTV um ≤5 ≤5 ≤1 ≤5 ≤1
STIR
(20×20mm3
26×33mm3)
um ≤0.5 ≤0.5 ≤0.2 ≤0.5 ≤0.2
Bow um ≤30 ≤30 ≤10 ≤30 ≤10
Warp um ≤40 ≤40 ≤20 ≤40 ≤20
Graininess 0.037um ea ≤50
Graininess 0.065um ea ≤20 ≤10
Graininess 0.090um ea ≤30 ≤5
Graininess 0.12um ea ≤30 ≤30 ≤10 ≤10
Graininess 0.20um ea ≤15 ≤15 ≤5
Surface metal atoms/cm2 ≤1E10 ≤1E10 ≤1E9 ≤1E10 ≤1E9
TYPE/サイズ・厚み 4INCH 5INCH 6INCH 8INCH 12INCH
アズカットウェハー 厚みがお客様のニーズによって、公差±10um
ラップドウェハー 厚みがお客様のニーズによって、公差±5um
エッチドウェハー (500-1100)±7um
片面ミラーウェハー (200-1000)±15um (300-1000)±15um (400-1000)±15um
両面ミラーウェハー (200-1000)±15um (300-1000)±15um (400-1000)±15um 775±25um
※他のウェハーも取り扱い、是非ご相談下さい。